Infineon IPL65R195C7AUMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTL22N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package
STMicroelectronicsSTD18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTL19N65M5
N-channel 650 V, 0.215 Ohm typ., 12.5 A MDmesh M5 power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
InfineonIPL65R310E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK / N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPL65R195C7AUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS IPL60R, Vds=650 V, 12 A, ThinPAK 8 x 8, , 5
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
2Asfet, N-Ch, 650V, 12A, 75W, Vson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.173Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPL65R195C7AUMA1
IPL65R195C7 INFINEON ThinPAK8X
IPL65R195 - 12A, 650V, 0.195OHM,
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance195 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance1.15 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance195 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation75 W
Rds On Max195 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen