Infineon IPI70N10SL16AKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-04-30
LTD Date2024-03-31
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsIPP70N10SL16AKSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
InfineonIPI50N10S3L16AKSA1
100V, N-Ch, 15 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO262-3-3, RoHS
onsemiHUF75545S3
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI70N10SL16AKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V, N-Ch, 16 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, SIPMOS™, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
IPI70N10 100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSF;
Summary of Features: N-Channel; Enhancement mode; Logic Level; 175C operating temperature; Avalanche rated; dv/dt rated; Green Package (lead free) | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.54 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance16 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation250 W
Rds On Max16 mΩ
Turn-Off Delay Time250 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen