Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
InfineonIPI60R125CPXKSA1
N-Channel 650 V 25 A 208 W 125 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI50R140CP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:550V; Current, Id Cont:23A; On State Resistance:0.14ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-262; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; SVHC:Cobalt dichloride
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Dual Supply Voltage550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.54 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation192 W
Rds On Max140 mΩ
Rise Time14 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time80 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen