STMicroelectronics STFI34N65M5
$ 2.96
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STFI34N65M5 | 0 | 25 | Bulk | 18h | |||||||
| Mouser | 511-STFI34N65M5 | 1.433 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI34N65M5 | 330 | 300 | Tube | 4d | |||||||
| Worldway Electronics | STFI34N65M5 | 14.075 | 7 | Tube | 4h | |||||||
| Win Source | WS-STFI34N65M5 | 3.680 | 1 | 5h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI30N65M5
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET I2PAK
InfineonIPI60R099CPXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
InfineonIPI60R099CPAAKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube / CoolMOS Power Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI34N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI34N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 28 A, 710 V, 3-PIN I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Cap Ceramic 220pF 50V C0G 5% SMD 0402 125C Automotive T/R
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation34.7 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time8.7 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time59 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant