Infineon IPI076N12N3GAKSA1
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EOL
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFSL4310PBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
InfineonIPI075N15N3GXKSA1
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET / N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTI150N10F7
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI076N12N3GAKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 120V, 100A, To-262 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance7.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.99 nF
Max Dual Supply Voltage120 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance7.6 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation188 W
Rds On Max7.6 mΩ
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen