Infineon IPI029N06NAKSA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPI80N06S4L07AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 / N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI029N06NAKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 60 V 100 A 3 W Through Hole OptiMOSTM Power Transistor - PG-TO262-3
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.0027Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:2.8V; Threshold Voltage Vgs:10V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1
OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.9 mΩ
Package Quantity500
PackagingBulk
Power Dissipation136 W
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen