Infineon IPD65R225C7ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD65R380C6ATMA1
Power Mosfet, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPD65R380E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD11NM65N
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD65R225C7ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance225 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance996 pF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance225 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation63 W
Rds On Max225 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen