STMicroelectronics STD16N50M2
$ 0.762
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD16N50M2 | 99 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD16N50M2 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD16N50M2 | 396 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-15111-1-ND | 612 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STD16N50M2 | 0 | 2500 | 15h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.29%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STD16N50M2 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STD16N50M2 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
InfineonIPD50R380CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 9.9 A, 500 V, 0.35 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPD65R380E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD12N50M2
N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD16N50M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 19.5nC@ 10 V 1N 500V 280m¦¸@ 6.5A,10V 13A 710pF@100V TO-252
MOSFET, N-CH, 500V, 13A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 13A, 150度 C, 110W;
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.29%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max280 mΩ
Rise Time7.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STD16N50M2 herunter.