Infineon IPD50R399CPATMA1

Name: Infineon IPD50R399CPATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50R399CPATMA1

Transistor Mosfet N-ch 550V 9A 3-PIN TO-252 T/r

$ 0.706

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	448-IPD50R399CPATMA1CT-ND	1.034	1	Cut Tape	2,230	1,427	0,966	0,705	0,705
Newark		IPD50R399CPATMA1	0	5	Cut Tape		1,770	1,290	1,020	1,020
Avnet		IPD50R399CPATMA1	0	2500						0,439	2d
Arrow Electronics		IPD50R399CPATMA1	0	2500						0,460
Farnell	3	IPD50R399CP	0	1	Cut Tape	1,145*	1,145*	1,145*	1,145*	1,145*	22h

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD50R399CPATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):399mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Current Id Max:9A; Package / Case:TO-252; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:550V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IPD50R399CP
SP001117700

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight3.949996 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage550 V

Drain to Source Resistance399 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)500 V

Dual Supply Voltage550 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance890 pF

Max Dual Supply Voltage500 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation83 W

Min Breakdown Voltage500 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance399 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation83 W

Rds On Max399 mΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage3 V

Turn-Off Delay Time80 ns

Turn-On Delay Time35 ns

Dimensions

Height2.413 mm

Length6.73 mm

Width6.223 mm

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Farnell

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Compliance

Umweltklassifizierung

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Conflict Mineral StatementN/AN/A