Infineon IPD50N06S4L12ATMA2

Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2
$ 0.464
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD50N06S4L12ATMA2 herunter.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+10.90%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD50N06S4L12ATMA2 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2016-12-01
LTD Date2017-06-01

Verwandte Teile

InfineonIRFR3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 140W;VGS +/-2
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR7746PBF
HEXFET POWER MOSFET / N-Channel 75 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Diodes Inc.DMTH6009LK3Q-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3Q-13
Diodes Inc.DMT6009LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 57A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LK3-13
Diodes Inc.DMTH6009LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3-13

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L Series 60 V 50 A 12 mOhm OptiMOS®-T2 Power-Transistor -PG-TO252-3-11
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
60V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 50A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD50N06S4L-12
  • IPD50N06S4L-12ATMA2
  • IPD50N06S4L12
  • IPD50N06S4L12ATMA1
  • SP000476422
  • SP001028640