Infineon IPD122N10N3GATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31
Verwandte Teile
InfineonIPD60N10S4L12ATMA1
IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
InfineonIPD60N10S412ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
InfineonIPD70N10S312ATMA1
100V, N-Ch, 11.1 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Diodes Inc.DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Diodes Inc.DMNH10H028SK3Q-13
Single N-Channel 100 V 28 mOhm 22 nC 3.7 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD122N10N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Drain to Source Resistance12.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.88 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.2 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation94 W
Rds On Max12.2 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen