Infineon IPB072N15N3GATMA1
$ 1.434
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IPB072N15N3GATMA1 | 11.000 | 1K | 5d | ||||||||
| Newark | IPB072N15N3GATMA1 | 1.768 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB072N15N3GATMA1 | 31.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB072N15N3GATMA1 | 5.489 | 1 | |||||||||
| Rutronik | TMOSP8868 | 4.000 | 1K | 14h |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB072N15N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
OPTIMOS3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.47 nF
Max Dual Supply Voltage150 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance7.2 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen