Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB051NE8NG herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-02-28
LTD Date2011-08-31
Verwandte Teile
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB051NE8NG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON SOT263
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage85 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage85 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB051NE8NG herunter.