Infineon IPB048N06LG
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2013-02-28
LTD Date2013-08-31
Verwandte Teile
InfineonIPB034N06N3GATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
InfineonIPB100N06S3-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
InfineonIPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB048N06LG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
300W(Tc) 20V 2V@ 270µA 225nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 4.7mΩ@ 100A,10V 100A 7.6nF@30V TO-263 SMD mount 10mm*9.25mm*4.4mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Current Rating100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.4 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen