Infineon IPB04N03LA
$ 0.52
Obsolete
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Price @ 1000
$ 0.52
$ 1.28
Stock
165,806
483,495
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
80 A
80 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
3.9 mΩ
3.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
-
107 W
Input Capacitance
3.877 nF
3.877 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB04N03LA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OptiMOS 2 Power-Transistor | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin TO-263
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Resistance6.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance3.877 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage25 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen