Infineon IPB034N06L3GATMA1

167W 20V 2.2V 59NC@ 4.5V 1N 60V 3.4M¦¸@ 10V 90A 10NF@ 30V TO-263 , 10MM*9.25MM*4.4MM
$ 0.938
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB034N06L3GATMA110.985
1h
Farnell
4
IPB034N06L3 G01
1h
Component Stockers USAIPB034N06L3GATMA132.075
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IPB034N06L3GATMA13721Tape & Reel
1d
Win Source
2
WS-IPB034N06L3G1.99618
2h

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

element14 APAC

Factory Futures

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

onsemiFDB070AN06A0
N-Channel 60 V 7 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet D2PAK-3
Details
InfineonIPB037N06N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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InfineonIPB048N06LG
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VishaySUM55P06-19L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Details
InfineonIRFZ44VSPBF
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin (2+Tab) D2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB034N06L3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

167W 20V 2.2V 59nC@ 4.5V 1N 60V 3.4m¦¸@ 10V 90A 10nF@ 30V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
MOSFET, N CH, 90A, 60V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:167W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 90 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 13 / Rise Time ns = 78 / Turn-OFF Delay Time ns = 64 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 167
Distrelec

Bilder

Augswan
TME
TME
element14 APAC
RS
Newark
Future Electronics
Distrelec
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB034N06L3 G
  • IPB034N06L3G
  • IPB034N06L3GXT
  • SP000398062