Infineon IPB049N08N5ATMA1
$ 2.028
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB100N10S305ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB049N08N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 80V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB049N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max4.9 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen