Infineon IKW40N120T2FKSA1
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NRND
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-21
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIHW40T120FKSA1
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
MicrochipAPT25GR120BD15
Igbt Mos 8 1200 V 25 A To-247 3 To-247 Tube Rohs Compliant: Yes |Microchip APT25GR120BD15
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKW40N120T2FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT Transistors; INFINEON; IKW40N120T2; 1.2 kV; Single; 75 A; TO-247-3
IKW40N120T2 Series 1200 V 75 A IGBT in 2nd Generation TrenchStop - TO-247-3
1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Infineon IKW40N120T2FKSA1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
IGBT+ DIODE,1200V,40A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:480W
Hard-switching 1200 V, 40 A TRENCHSTOP™ IGBT4 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package, provides significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Voltage1.75 V
Max Collector Current75 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation480 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation480 W
Reverse Recovery Time258 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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