onsemi NGTB40N120IHRWG
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Lieferkette
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIGW40N120H3FKSA1
INFINEON IGW40N120H3 IGBT Single Transistor, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NGTB40N120IHRWG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT, 1200V 40A FS2-RC Induction Heating
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
384W 2.3V 2.55V@ 15V,40A 80A TO-247 16.25mm*5.3mm*21.4mm
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
TRANSISTOR, IGBT, 2.3V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.3V; Power Dissipation Pd: 384W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. o
Igbt, Single, 1.2Kv, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.3V; Power Dissipation:384W; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NGTB40N120IHRWG
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Pins3
Weight6.500007 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation384 W
Min Operating Temperature-40 °C
Schedule B8541290080
Dimensions
Height21.4 mm
Length16.25 mm
Width5.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen