Infineon IKP08N65F5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15
Verwandte Teile
InfineonIKP08N65H5XKSA1
650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGP6NC60HD
STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
InfineonIKA15N60TXKSA1
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
onsemiSGP23N60UFDTU
IGBT 600V 23A 100W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKP08N65F5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.
IGBT, 650V, 8A, TO220-3; DC Collector Current: 8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 70W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Cas; Available until stocks are exhausted
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current18 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity500
Power Dissipation70 W
Reverse Recovery Time41 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen