Infineon IKA15N60TXKSA1

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
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Datasheet13 SeitenVor 9 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTGP7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
STMicroelectronicsSTGP14NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
STMicroelectronicsSTGP6NC60HD
STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
IGBT 600V 23A 100W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IKA15N60TXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14.7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 18.3A, TO-220; DC Collector Current:18.3A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:35.7W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of
IGBT, N, 600V, 15A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:15A; Voltage, Vce Sat Max:2.05V; Power Dissipation:35.7W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Transistors, No. of:1
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete copacked with full-rated external free-wheeling diode in a TO-220 Full-Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to the combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IKA15N60T
  • SP000215377