Infineon IKD06N60RFATMA1
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NRND
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKD06N60RFATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Infineon IKD06N60RFATMA1 Single IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Igbt, Single, 600V, 12A, To-252; Dc Collector Current:12A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.2V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:600V; Transistor Case Style:to-252; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes
IKD06N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
100W 2.2V 600V 12A DPAK , 2.56mm
Hard-switching 600 V, 6 A RC-Drives TRENCHSTOPTM IGBT3 discrete in a TO-252 package with monolithically integrated reverse conducting diode, has been developed as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation100 W
Reverse Recovery Time48 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen