STMicroelectronics STGD10HF60KD
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGD3NB60FT4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGD10HF60KD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
62.5W 18A 600V DPAK IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
62.5W 2.5V(Max) Freestanding 600V 18A TO-252 SMD mount 2.4mm(height)
Short-circuit rugged IGBT, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
TRANSISTOR, IGBT, 600V, 18A, TO-252;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current7 A
Forward Voltage1.75 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current18 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
PackagingTape and Reel
Reverse Recovery Time50 ns