STMicroelectronics STGW40H60DLFB
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW40H60DLFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
IGBT, 600V, 80A, 175DEG C, 283W; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins:
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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