Infineon BSZ0904NSIATMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFHS8342TRPBF
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
InfineonBSZ0902NSATMA1
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ0904NSIATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.1W 20V 1.2V 8.5nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 4m¦¸@ 10V 40A 1.1nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
30V 75A 3.3mΩ@10V,30A 37W 2V@250uA 1 N-Channel TSDSON-8-EP(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON T/R
On a Reel of 5000, Infineon BSZ0904NSIATMA1 MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 18A 30V OptiMOS TSDSON8EP
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
OptiMOS™ 30V in S308 package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
BSZ0904NSI Infineon Technologies
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation37 W
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen