Infineon BSZ050N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSZ050N03LSGATMA114.5921
Future Electronics
2
BSZ050N03LSGATMA110.0005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSZ050N03LSGATMA1127.248
13h
DigiKey
3
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND5.7631Cut Tape
AvnetBSZ050N03LSGATMA105K
1d

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 15 Jahren

Farnell

element14 APAC

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Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSZ050N03LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Epart123
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet
30V 16A 2.1W 5m´Î@10V20A 2.2V@250Ã×A N Channel PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
40 A 30 V 0.0078 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-Ch 16A 30V OptiMOS3 TSDSON8EP
RS APAC
2.1W(Ta),50W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 30V 5m¦¸@ 20A,10V 40A 2.8nF@15V SON 3.3mm*3.3mm*1.1mm
UnikeyIC
BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
ODG (Origin Data Global)
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Bilder

element14 APAC
Augswan
RS
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSZ050N03LS G
  • BSZ050N03LSG
  • SP000304139