Infineon BSZ036NE2LSATMA1

2.1W 20V 2V 7.7NC@ 4.5V, 16NC@ 10V 1N 25V 3.6M¦¸@ 10V 40A 1.2NF@ 12V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM
$ 0.307
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSZ036NE2LSATMA1 herunter.

element14 APAC

Datasheet9 SeitenVor 13 Jahren

IHS

Upverter

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-8.68%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSZ036NE2LSATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2011-03-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Verwandte Teile

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
onsemiFDMC7696
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
onsemiFDMS7694
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSZ036NE2LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.1W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.6m¦¸@ 10V 40A 1.2nF@ 12V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.003ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.1 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 2.8 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 3.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 37

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSZ036NE2LS
  • BSZ036NE2LSXT
  • SP000854572