Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
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Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Verwandte Teile

onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
onsemiFDMS7692A
FDMS7692A Series 30 V 13.5 A 8 mOhm SMT N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
InfineonIRF8714PBF
Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSZ060NE2LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ060NE2LS; 25 V; 12 A; 20 V; 26 W
2.1W 20V 2V 9.1nC 1N 25V 6m¦¸@ 10V 40A 670pF@ 12V TSDSON-8 , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet Japan
12 A 25 V 0.0081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 12A 25V OptiMOS TSDSON8EP
25V 40A 5m´Î@10V20A 26W 2V@250uA 31pF@12V N Channel 670pF@12V 4.4nC@0~4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:26W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ060NE2LSATMA1.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSZ060NE2LS
  • BSZ060NE2LSATMA1.
  • BSZ060NE2LSXT
  • SP000776122