Infineon BSZ035N03MSGATMA1
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonBSZ0902NSATMA1
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFHS8342TRPBF
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ035N03MSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PG-TSDSON T/R
Avnet Japan
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:69W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rise Time5.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen