Infineon BSM100GB120DLC

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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IHS

Datasheet8 SeitenVor 18 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren

Elcodis

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

EconoPACK™ + B-series 1200V sixpack IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled HE diode
Infineon FS150R12PT4BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V Module, Panel Mount
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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSM100GB120DLC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
FUSE BLOK CARTRIDGE 125V 10A SMD
BSM 100GB 120DLC
IGBT module Connection: 3 x M6 Fastening: 4 x M6 Configuration: Half-Bridge Housing type: 62 mm Collector-emitter saturation voltage: 2.6 V Energy dissipation during make-time: 10 mJ Energy dissipation during turn-off time: 12 mJ

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSM 100GB 120DLC