Infineon FD150R12RT4HOSA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonFS75R12W2T4BOMA1
Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount
MicrochipAPTGT35A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G
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Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT50A120T1G
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon FD150R12RT4HOSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
INFINEON FD150R12RT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 5-Pin 34MM-1 Tray
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 150A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
IGBT Module, 1.2KV, 150A, MODULE
IGBT MOD 1200V 150A 790W / IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 150 A 790 W Chassis Mount Module
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A
Our well-known 34 mm 1200V chopper IGBT modules with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode are the right choice for your design. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T vj op; Low Switching Losses; Low V CEsat; T vj op = 150C; V CEsat with positive Temperature Coefficient; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; cav; ups; induction-heating; welding
IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:790W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Module Configuration:Single; Power Dissipation Max:790W
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins5
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current150 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation790 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity10
Power Dissipation790 W
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen