Infineon BSC190N15NS3GATMA1
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Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | BSC190N15NS3GATMA1CT-ND | 15.819 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSC190N15NS3GATMA1 | 60.000 | 5K | 13h | ||||||||
| Newark | BSC190N15NS3GATMA1 | 3.125 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSC190N15NS3GATMA1 | 40.000 | 5K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BSC190N15NS3GATMA1 | 19.386 | 1 |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
$ 1.027
$ 1.224
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Stock
1,751,068
1,320,431
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
56 A
56 A
Threshold Voltage
3 V
-
-
Rds On Max
19 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
96 W
96 W
Input Capacitance
1.82 nF
1.37 nF
1.37 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC190N15NS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 19 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 150V, 50A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.82 nF
Max Dual Supply Voltage150 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance19 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max19 mΩ
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen