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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 18 hours ago)
LTB Date2023-03-30
LTD Date2023-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 18 hours ago)
Verwandte Teile
InfineonBSC018NE2LSATMA1
2.5W 20V 2V 39nC 1N 25V 1.8m¦¸@ 10V 100A 2.8nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 176 A, 2 MilliOhms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS8020, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)£¬65W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 61nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 2.5m¦¸@ 26A,10V 26A£¬42A 3.8nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(on), fast switching speed, and body diode reverse-recovery performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation65 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time5.7 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen