Infineon BSC009NE2LS5ATMA1

Trans Mosfet N-ch 25V 41A 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.753
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND13.3951Cut Tape
NewarkBSC009NE2LS5ATMA11951Cut Tape
Future Electronics
2
BSC009NE2LS5ATMA120.0005KTape & Reel
Arrow Electronics
2
BSC009NE2LS5ATMA111.8911
RutronikTMOS35895.0005K
18h

Datenblätter und Dokumente

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet13 SeitenVor 0 Jahren

IHS

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Verwandte Teile

onsemiNTD4854NT4G
Power MOSFET 25 V, 124 A, Single N-Channel
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InfineonIRFH4255DTRPBF
25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package, PG-TISON-8, RoHS
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InfineonIRFH8201TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
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InfineonIRFH8202TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
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NXP SemiconductorsPSMN1R7-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Details
NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC009NE2LS5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC009NE2LS5ATMA1; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 41 A; 16 V; 2.5 W
Maritex
Infineon NMOS OptiMOS 5, Vds=25 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6, , 8
UnikeyIC
MOSFET OptiMOS5 25V 100A 0.9m SuperSO8
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 223A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CH 25V 100A 900mOhm SuperSO8
Rutronik
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 25V, 100A, 150Deg C, 74W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.6V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC009NE2LS5ATMA1
Newark

Bilder

Newark
TME
RS APAC
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC009NE2LS5
  • SP001212764