Infineon IRFH8202TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRFH8202TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Microchip USA | IRFH8202TRPBF | 176 | 300 | 5h | ||||||||
| Component Stockers USA | IRFH8202TRPBF | 19.959 | 2d | |||||||||
| Win Source | WS-IRFH8202TRPBF | 20 | 35 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH8202TRPBF | 12.534 | 7 | Tape & Reel | 10h |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15
Verwandte Teile
InfineonIRFH8201TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5250TRPBF
Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH8307TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH8202TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 25 V 1.05 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.174 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.05 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max1.05 mΩ
Rise Time46 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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