Infineon AUIRFZ48N
$ 2.04
Obsolete
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$ 2.04
$ 0.633
Stock
272,003
1,922,827
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
69 A
64 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
94 W
Input Capacitance
1.9 nF
1.97 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-10-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ48N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
TUBE / Automotive MOSFET 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220
Trans MOSFET N-CH 55V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, AUTO, N-CH, 55V, TO220AB3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:69A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)69 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation160 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time62 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen