Infineon AUIRF3808S
$ 7.56
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
VishaySQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
InfineonAUIRF3205ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS3607
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRL2505SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 104A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3808S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Trans MOSFET N-CH 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
TUBE // Automotive MOSFET 75V, 75A, 7 mOhm,150nC Qg, D2Pak
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 75V, 106A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:106A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:200W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)106 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.31 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time140 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen