Infineon AUIRFS3206

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 1.73
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsAUIRFS320648
1h
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRFS3206025Bulk
18h
FarnellAUIRFS320601
1d
Component Stockers USAAUIRFS320645
15h
Win SourceWS-AUIRFS32062016
2h

Datenblätter und Dokumente

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RS (Formerly Allied Electronics)

Datasheet11 SeitenVor 10 Jahren

IHS

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonAUIRFS3206
InfineonIRFS3206TRRPBF
InfineonIRFS3206TRRPBF
Price @ 1000
$ 1.73
$ 1.13
$ 1.13
Stock
48,520
470,637
470,637
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
6.54 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15

Verwandte Teile

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Details
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Details
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Details
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon AUIRFS3206, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
Trans MOSFET N-CH 60V 210A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; Enhanced dV/dT and dI/dT capability; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Infineon
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
element14 APAC

Bilder

Infineon
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
Farnell
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001521188