Infineon AUIRFR2307Z
$ 2.12
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 2.12
$ 0.768
Stock
112,820
634,567
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.19 nF
2.19 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRFR2307ZTRLPBF
Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRFR2307ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 12.8 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55de
InfineonAUIRFR2405
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR2307Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET,N CH,75V,42A,DPAK; Continuous Drain Current Id:53A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0128ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:110W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.19 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen