Infineon AUIRF7769L2TR
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia, Mexico, Uk
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7759L2TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R / MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
InfineonAUIRF7759L2TR
Power Field-Effect Transistor, 375A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRF7759L2TR1PBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: DirectFET Polarity: N Power dissipation: 3.3 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7769L2TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 124 A, 3.5 mOhm, DirectFET L8, 15 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R
A 100V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 124 amperes optimized with low on resistance, MG-WDSON-11, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, AUTO, N-CH, 100V, DIRECTFETL8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:124A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins15
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max3.5 mΩ
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time44 ns
Dimensions
Height740 µm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen