Infineon AUIRF7759L2TR
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Price @ 1000
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$ 5.58
Stock
311,302
280,926
Authorized Distributors
6
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
26 A
26 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
2.3 mΩ
2.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.3 W
3.3 W
Input Capacitance
12.222 nF
12.222 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia, Mexico, Uk
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7759L2TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 375A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Target Applications: Automotive 48V Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
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Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins15
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time300 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.222 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.3 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time37 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height740 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen