Infineon AUIRF7739L2TR1
$ 5.64
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR3504
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR7446TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
VishaySQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A / Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
InfineonIRFR7446PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
VishaySI7848BDP-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.009 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7739L2TR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
GEN 10.7, AUTOMOTIVE DIRECTFET2, 1.1MOHM, X4.6, 40V
MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET3
AUIRF7739L2TR1 INFINEON DIRECTFET
MOSFET,N CH,40V,375A,DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):700µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DirectFET; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:375A; Power Dissipation Pd:125W; Voltage Vgs Max:20V
A 40V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 270 amperes optimized with low on resistance for applications such as motor drive, high frequency DC-DC and other heavy load systems. Shipped in Tape and Reel o
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.88 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.8 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation125 W
Rds On Max1 mΩ
Resistance1 MΩ
Rise Time71 ns
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height558.8 µm
Length9.144 mm
Width7.1 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen