Infineon AUIRF7316QTR
$ 1.596
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF7316QTR | 20.054 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRF7316QTRCT-ND | 1 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF7316Q | 0 | 125 | Bulk | 3h | |||||||
| Farnell | AUIRF7316Q | 0 | 1 | Cut Tape | 12h | |||||||
| Microchip USA | AUIRF7316QTR | 206 | 300 | 4h |
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Price @ 1000
$ 1.596
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Stock
297,173
3,141,042
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.9 A
4.9 A
4.9 A
Threshold Voltage
-1 V
-1 V
-1 V
Rds On Max
58 mΩ
58 mΩ
58 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
710 pF
710 pF
710 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Verwandte Teile
InfineonIRF7316TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
InfineonIRF7316PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7316QTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Automotive Q101 -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.; P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-4.9A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.042ohm
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance58 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen