Infineon AUIRF3205ZS
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1,651,538
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Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Verwandte Teile
VishaySQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
InfineonIRL2505SPBF
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55V, N-Ch, 7.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3205ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,55V,75A,D2PAK; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:170W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width11.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen