Infineon AUIRF3805L
$ 2.11
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.19%
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFSL7537PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3805L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 55V 160A TO262 / N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 210A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,N CH,55V,160A,TO262; Continuous Drain Current Id:210A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.19%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time93 ns
Turn-On Delay Time150 ns
Dimensions
Height11.3 mm
Length10.67 mm
Width4.82 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen