Infineon IRFSL3006PBF
$ 9.85
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFSL3006PBF | 0 | 300 | Bulk | 20h | |||||||
| Microchip USA | IRFSL3006PBF | 1.274 | 600 | Tube | 4d | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRFSL3006PBF | 11.111 | 1 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| Win Source | WS-IRFSL3006PBF | 20 | 5 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFSL3006PBF | 9.604 | 7 | Tube | 6h |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFSL3206PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3107PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL3006PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 2.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
375W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 300nC@ 10 V 1N 60V 2.5m¦¸@ 170A,10V 195A 8.97nF@50V TO-262 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:270A; On Resistance, Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time189 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Rise Time182 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen