Infineon IRFSL3206PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRFSL3207ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.3Milliohms;ID 170A;TO-262;PD 300W;VF 1.3V
InfineonAUIRF1405ZL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262 N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
InfineonIRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262 N-Channel 55 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL3206PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 120A TO262 N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
300W(Tc) 20V 4V@ 150µA 170nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3mΩ@ 75A,10V 120A 6.54nF@50V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating210 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time82 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen