Infineon AUIRF3007
$ 1.26
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
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0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-01-31
LTD Date2019-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3007, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance12.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.6 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation200 W
Rds On Max12.6 mΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.02 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen