Infineon AUIRF2903Z
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Obsolete
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Stock
65,547
155,467
Authorized Distributors
3
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
160 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
290 W
290 W
Input Capacitance
6.32 nF
6.32 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRLB8314PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonSPP80N03S2L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 / N-Channel 30 V 80A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF2903Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 5.8pF 50Volts C0G +/-0.05pF
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation290 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time100 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height20.57 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen