onsemi SGS6N60UFDTU
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiSGS5N60RUFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
onsemiSGS13N60UFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP5H60DF
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S / IGBT Trench Field Stop 600 V 10 A 88 W Through Hole TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SGS6N60UFDTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT 600V 6A 22W TO220F
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
IGBTs 600V/3A/w/FRD
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current6 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation22 W
Reverse Recovery Time35 ns
Voltage Rating (DC)600 V